但當柵極電壓超過閾值電壓時，MOS管進入了放大區(qū)或飽和區(qū)，這意味著柵極電壓足夠大以至于完全反轉了耗盡區(qū)。 在飽和區(qū)或放大區(qū)，MOS管的漏極到源極的電流幾乎不再受耗盡區(qū)的影響。相反，漏極到源極電流主要...
當柵極電壓低于閾值電壓時，柵極與漏極之間的反型二極管會出現(xiàn)反向偏置，這會導致漏極側的亞閾值電流開始流動。 亞閾值導通現(xiàn)象是由于亞閾值電流的存在。在亞閾值區(qū)域，MOS管的亞閾值電流隨著柵極電壓的增加而...
VTH 與 VGS 之間的關系可以通過 MOS 管的轉移特性曲線來直觀地表示。在 VGS 大于 VTH 時，MOS 管導通，電流可以通過；在 VGS 小于 VTH 時，MOS 管截止，電流幾乎不會通過...
