中低壓 MOSFET 功率器件通常指工作電壓為 10V-300V 之間的 MOSFET 功率器件， 中低壓 MOSFET 功率器件結(jié)構(gòu)通常包括溝槽柵 VDMOS 及屏蔽柵 MOSFET
對于N溝道MOS管來說其導(dǎo)通條件一般為VG大于VS電壓。
我們知道MOS管并聯(lián)均流使用，原因是MOS管的電流特性比較穩(wěn)定，并且在并聯(lián)時可以通過電阻進(jìn)行均流。 在使用MOS管進(jìn)行功率放大時，一般為了增加輸出功率，我們會將多個MOS管并聯(lián)使用。 并聯(lián)方法：將...
假使在這里沒有電阻起到偏置電壓的作用，那么 MOSFET 的源極電壓會因為隨著負(fù)載電流的變化而變化，導(dǎo)致門源電壓出現(xiàn)變化，從而影響 MOSFET 工作狀態(tài)。 當(dāng)加入電阻以后，電阻會通過電壓降來微MO...
SJ MOSFET是一種超結(jié)構(gòu)MOSFET，英文名稱叫Super Junction MOSFET。主要應(yīng)用于高壓（600V-800V）領(lǐng)域。為了解決額定電壓提高而導(dǎo)通電阻增加的問題，超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFE...
當(dāng) MOSFET 關(guān)斷，隨后對管導(dǎo)通時， Vds 電壓（漏極與源極之間所能施加的最大電壓值）快速上升產(chǎn)生高的 dv/dt（開關(guān)瞬態(tài)過程中漏極－源極電壓的變化率），從而在電容 Cgd （米勒電容）中產(chǎn)生...
