推挽電路采用兩個(gè)參數(shù)相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于電路中，一只放大正半周信號(hào)，另一只放大負(fù)半周信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)完整信號(hào)的放大。兩只對(duì)稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小...
Multi-EPI：該工藝是開發(fā)最早，較為成 熟的工藝。它是基于平面硅生長(zhǎng)技術(shù)，采用的是多層外延生長(zhǎng)技術(shù)，通過在硅襯底上，再通 過多次摻雜，熱推進(jìn)，生長(zhǎng)多層摻雜不同的外延層，形成多個(gè)PN結(jié)，從而實(shí)現(xiàn)超...
首先是在性能方面考慮： 與NMOS管驅(qū)動(dòng)能力相同的一個(gè)PMOS管，其器件面積可能是NMOS管的2～3倍，然而器件面積會(huì)影響導(dǎo)通電阻、輸入輸出電容，而這些相關(guān)的參數(shù)容易導(dǎo)致電路的延遲。
指的是在柵源之間，當(dāng)柵極電壓變化時(shí)，源極電流的變化率。MOS管的輸入電阻通常很高，具有很高的絕緣性能，這意味著只有極小的漏電流通過柵極。不過這種高電阻可以減小控制電路的功耗，讓它可以作為信號(hào)放大器的輸...
在電子實(shí)際應(yīng)用中，我們會(huì)經(jīng)常看到MOSFET和IGBT，兩者都可以作為開關(guān)元件來使用。那為什么在有的電路中用的是MOSFET，有的是IGBT呢？其實(shí)，這是因?yàn)镸OSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，才造就...
漏極電流是會(huì)隨著漏極電壓的增加而增加的，但其增加的速度會(huì)非常緩慢，這是因?yàn)樵诳勺冸娮鑵^(qū)，MOS管的漏-源極之間的電阻非常大，因此MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)不能完全打開，只能通過很小的電流。
