MOS管參數

　　MOS管參數

　　1、VGS(th)(開啟電壓)

　　當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。

　　應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。

　　MOS管的導通條件

　　MOS管的開關條件：

　　N溝道：導通時 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時導通;

　　P溝道：導通時 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時導通。

　　MOS管導通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|

　　2、VGS(最大柵源電壓)

　　柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設計的時候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個最大電壓。

　　3、RDS(on)(漏源電阻)

　　導通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導通時的消耗功率。這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。

　　MOS管 導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。

　　現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

　　4、ID(導通電流)

　　最大漏源電流。是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過 ID 。

　　一般實際應用作為開關用需要考慮到末端負載的功耗，判斷是否會超過 ID。

　　5、VDSS(漏源擊穿電壓)

　　漏源擊穿電壓是指柵源電壓VGS 為 0 時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。

　　擊穿后會使得 ID 劇增。

　　這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS 。

　　6、gfs(跨導)

　　是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，

　　是表征MOS管放大能力的一個重要參數,是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度。

　　過小會導致 MOS 管關斷速度降低，過大會導致關斷速度過快， EMI特性差。