MOS管特點(diǎn)

日期:2022-12-16 分類:產(chǎn)品知識(shí) 瀏覽:1425 來源:廣東佑風(fēng)微電子有限公司


MOS管特點(diǎn)

  1、輸入阻抗非常高,因?yàn)?a href="http://www.yeppo.cn/cn/chaogaojiemosguan-p44-1.html" target="_self">MOS管柵極有絕緣膜氧化物,甚至可達(dá)上億歐姆,所以他的輸入幾乎不取電流,可以用作電子開關(guān)。

  2、導(dǎo)通電阻低,可以做到幾個(gè)毫歐的電阻,極低的傳導(dǎo)損耗,。

  3、開關(guān)速度快,開關(guān)損耗低,特別適應(yīng)PWM輸出模式。

  4、在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大,柵偏壓可正可負(fù)可零,三極管只能在正向偏置下工作,電子管只能在負(fù)偏壓下工作;

  4、低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng),制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。

  5、極強(qiáng)的大電流處理能力,可以方便地用作恒流源。

  所以現(xiàn)在芯片內(nèi)部集成的幾乎都是MOS管。

  6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿,柵極輸入阻抗大,感應(yīng)電荷很難釋放,高壓很容易擊穿絕緣層,造成損壞。

  前面的幾點(diǎn)也可以說是MOS管的優(yōu)點(diǎn)。最后一點(diǎn)容易擊穿也是相對來說的,現(xiàn)在的mos管沒有那么容易被擊穿,不少都有二極管保護(hù),在大多數(shù)CMOS器件內(nèi)部已經(jīng)增加了IO口保護(hù)。


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