MOSFET工作原理

MOSFET工作原理

　　MOS 場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。這里我們以增強(qiáng)型MOS為例分析。

　　場(chǎng)效應(yīng)管是由源極，漏極，柵極組成，由于襯底的摻雜不同可分為N溝道和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。（溝道：顧名思義就是在襯底上挖兩個(gè)可填充溝道，填充N型或者P型半導(dǎo)體）

　　我們將漏極接到電源正極，源極接到電源負(fù)極。

　　對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管，在柵極沒(méi)有電壓時(shí)，源極和漏極之間相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極管，不會(huì)有電流流過(guò)，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。

　　當(dāng)在柵極加上電壓時(shí)，當(dāng)電壓小于一個(gè)閾值VGS(th)時(shí)，柵極和襯底P之間會(huì)由于電場(chǎng)的作用，將P型半導(dǎo)體中的空穴推開，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來(lái)而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中。

　　隨著柵極電壓的增大，柵極附近的電子濃度會(huì)增加。當(dāng)超過(guò)一個(gè)閾值VGS(th)時(shí)，在源極和漏極之間的N型半導(dǎo)體會(huì)形成一個(gè)電子溝道。同時(shí)此時(shí)由于漏極加有正電壓，就可以形成漏極到源極的電流，MOS管導(dǎo)通。

　　我們也可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。這也是為什么說(shuō)MOS管是電壓控制性晶體管的原因。