SGTMOSFET是一種具有高功率密度、低開關(guān)損耗和優(yōu)良EMI性能的功率器件。它采用屏蔽柵溝槽技術(shù)，適用于電動(dòng)工具和鋰電保護(hù)板等領(lǐng)域。SGTMOSFET具有高電壓能力、高能效、高可靠性和抗干擾性強(qiáng)等優(yōu)...
實(shí)際上，BJT的電流與MOS管有很大區(qū)別。BJT的電流方向是固定的，但MOS管并非唯一。我們知道，寄生二極管，即體二極管，MOS管的電流方向與其極性是相反的。 也就是說，當(dāng)MOS管在進(jìn)行開關(guān)使用...
IGBT的應(yīng)用 換流電路主要用于控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷過程，以實(shí)現(xiàn)電流的正向和反向流動(dòng)。 不過要注意，并不是所有的IGBT開關(guān)過程都需要換流，具體要看電路的情況。
MOS管驅(qū)動(dòng)有很多種，之前我們有所了解，其中有一種就是用專門的驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，我們主要圍繞這個(gè)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)來展開。 在MOS管關(guān)斷的時(shí)候，一般電壓會(huì)比開通的時(shí)候更高，關(guān)斷產(chǎn)生的損耗也比開通產(chǎn)生的損耗要...
在開通瞬間前級(jí)電源電壓跌落，這是因?yàn)殚_關(guān)速度過快，mos 管開啟瞬間充電電流引起。解決這個(gè)問題的關(guān)鍵在于，降低大容量電容的充電速度。
新能源汽車動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。 碳化硅（SiC）技術(shù)賦予了我們無盡的新機(jī)遇。在尋求高度可靠電源系統(tǒng)的諸多領(lǐng)域，SiC MOSFET憑借高效能，為各行各業(yè)的多樣化應(yīng)用提供了完美解決方...
