簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，我們會(huì)使用NMOS來(lái)作防反電路，原因是成本較低。 PMOS一般會(huì)放置在電路的高邊，NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過(guò)，NMOS的防反結(jié)構(gòu)，它的電源地和負(fù)載地是分...
功率MOSFET分為耗盡型（DM）和增強(qiáng)型（EM）兩種，兩者主要在于導(dǎo)電溝道的區(qū)別，兩者的控制方式不同。 耗盡型MOS管的G端在不施加電壓時(shí)就會(huì)有導(dǎo)電溝道的存在，增強(qiáng)型MOS管則相反，只有在開(kāi)啟...
早期時(shí)候的工藝僅僅支持NMOS來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯功能。如今采用NMOS+PMOS，是因?yàn)镸OS管的占據(jù)面積遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于電阻的面積，并且具有更高的放大倍數(shù)。
IGBT在柵極和發(fā)射極之間加入正電壓就可以進(jìn)行導(dǎo)通。不過(guò)，這個(gè)正電壓至少需要高于閾值電壓。如果柵極和發(fā)射極之間的電壓低于閾值電壓，IGBT則將關(guān)閉或者處于截止?fàn)顟B(tài)。
本文介紹了五種MOS管在實(shí)際應(yīng)用中存在的漏電流：反偏結(jié)泄漏電流、柵極致漏極泄漏電流、柵極直接隧穿電流、亞閾值泄漏電流和隧穿柵極氧化層漏電流。這些漏電流會(huì)影響低功耗設(shè)備電池的壽命和s&h電路信號(hào)保持時(shí)間...
米勒電容：在柵極（G）和漏極（D）之間的一個(gè)寄生電容。 當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)，米勒電容的存在，會(huì)使MOS管的Vds產(chǎn)生一個(gè)電壓從接近0（飽和壓降）到母線的變化過(guò)程，這個(gè)電壓變化率就是“dv/dt...
