在MOSFET導(dǎo)通實(shí)際應(yīng)用中，為什么以柵源電壓VGS大于VTH為判斷依據(jù)

在網(wǎng)上看到這個(gè)問(wèn)題:一般在介紹 MOS 管工作時(shí)，似乎都是說(shuō)在柵級(jí)加一個(gè)電壓，當(dāng)柵極對(duì)襯底的電位差大于 VTH（閾值電壓）時(shí)溝道形成，管子可以導(dǎo)通，而沒(méi)有源極和漏極什么事。但為什么實(shí)際計(jì)算和使用時(shí)卻是要以柵源電壓 VGS（柵源電壓）大于 VTH 為判斷依據(jù)？

其實(shí)這個(gè)很好理解，我們可以從VGS和VTH的關(guān)系進(jìn)行入手：

VTH 與 VGS 之間的關(guān)系可以通過(guò) MOS 管的轉(zhuǎn)移特性曲線來(lái)直觀地表示。在 VGS 大于 VTH 時(shí)，MOS 管導(dǎo)通，電流可以通過(guò)；在 VGS 小于 VTH 時(shí)，MOS 管截止，電流幾乎不會(huì)通過(guò)。因此，要實(shí)現(xiàn) MOS 管的開(kāi)關(guān)功能，需要確保 VGS 大于 VTH。

那么，提到柵級(jí)電壓與襯底電壓之差大于閾值電壓（VTH），這樣溝道才能形成，從而導(dǎo)致MOS管導(dǎo)通。但實(shí)際計(jì)算和使用時(shí)，為什么我們更關(guān)注的是柵源電壓（VGS）與閾值電壓（VTH）之間的關(guān)系呢？

可以用一個(gè)簡(jiǎn)單的公式表示：VGS = VTH + Vds。

其中，Vds 是源極和漏極之間的電壓。從這個(gè)公式可以看出，只要 Vds 足夠大，即使 VGS 略小于 VTH，也可以讓 MOS 管導(dǎo)通。因此，在實(shí)際應(yīng)用中，我們通常關(guān)注 Vds 的大小，而不是 VGS 與 VTH 之間的差距。

我們更關(guān)注柵源電壓（VGS）與閾值電壓（VTH）之間的關(guān)系，是因?yàn)檫@直接決定了MOS管的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)。在MOS管導(dǎo)通時(shí)，柵源電壓（VGS）大于閾值電壓（VTH），溝道形成，電流可以通過(guò)器件。而在MOS管截止時(shí)，柵源電壓（VGS）小于閾值電壓（VTH），溝道被堵塞，電流無(wú)法通過(guò)。

柵極電壓與襯底電壓之差大于閾值電壓（VTH）是保證MOS管正常工作的必要條件，但并不足夠決定MOS管的導(dǎo)通與截止。柵源電壓（VGS）與閾值電壓（VTH）之間的關(guān)系則直接影響MOS管的導(dǎo)通與截止。