在開關(guān)電源中，MOSFET 需要頻繁地切換兩種狀態(tài)：導(dǎo)通和截止，以控制電流的通斷，它具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的優(yōu)點。
MOSFET分兩種：NMOS和PMOS NMOS和PMOS的區(qū)別在于控制信號的極性不同。NMOS是通過一個正電壓來控制電流的通斷，而PMOS則是通過一個負電壓來控制電流的通斷。
MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和低驅(qū)動能量等特點,而直流電機驅(qū)動通常需要對電機的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)向進行精確控制，因此MOSFET在電機驅(qū)動中發(fā)揮重要的作用。
寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。它們通常是由于電路布局、線路長度、器件之間的物理距離等因素引起的。
我們知道經(jīng)常會提及MOS管的閾值電壓，那亞閾值電壓大家是否熟知呢？簡單來說，柵極電壓低于閾值電壓,半導(dǎo)體表面僅僅只是‘弱反型’時，相應(yīng)的漏極電流稱為亞閾值電流。
雪崩擊穿 是指在高壓、高電場強度下，半導(dǎo)體材料中的載流子倍增現(xiàn)象。 當(dāng)半導(dǎo)體內(nèi)部的電場強度達到一定程度時，原本穩(wěn)定的載流子將會被加速，與晶格發(fā)生碰撞，產(chǎn)生更多的載流子。 這些新產(chǎn)生的載流子又會繼...
