寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。
我們知道經(jīng)常會(huì)提及MOS管的閾值電壓，那亞閾值電壓大家是否熟知呢？簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，柵極電壓低于閾值電壓,半導(dǎo)體表面僅僅只是‘弱反型’時(shí)，相應(yīng)的漏極電流稱為亞閾值電流。
雪崩擊穿 是指在高壓、高電場(chǎng)強(qiáng)度下，半導(dǎo)體材料中的載流子倍增現(xiàn)象。 當(dāng)半導(dǎo)體內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到一定程度時(shí)，原本穩(wěn)定的載流子將會(huì)被加速，與晶格發(fā)生碰撞，產(chǎn)生更多的載流子。 這些新產(chǎn)生的載流子又會(huì)繼...
漏電流會(huì)導(dǎo)致功耗，尤其是在較低的閾值電壓下。下面我們來(lái)了解在MOS管漏電流找到的主要的六大原因
襯底偏置效應(yīng)和體效應(yīng)是半導(dǎo)體器件中常見(jiàn)的兩種效應(yīng)。
但當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí)，MOS管進(jìn)入了放大區(qū)或飽和區(qū)，這意味著柵極電壓足夠大以至于完全反轉(zhuǎn)了耗盡區(qū)。 在飽和區(qū)或放大區(qū)，MOS管的漏極到源極的電流幾乎不再受耗盡區(qū)的影響。相反，漏極到源極電流主要...
