MOS 管的開啟過程可以分為三個階段：截止區(qū)、導通區(qū)、飽和區(qū)。 在截止區(qū)，MOS 管的柵源電壓為零，此時 MOS 管處于關斷狀態(tài)。隨著柵源電壓的增加，當柵源電壓達到門極開啟電壓（Vg(th)）時...
NMOS 的溝道是由 n 型半導體構成的，而 PMOS 的溝道則是由 p 型半導體構成的。
低溫，顧名思義，就是比常溫低的溫度，通常指的是接近絕對零度的溫度。而超導，則是指某些材料在低溫下電阻為零的奇妙現(xiàn)象。 當我們將這兩種現(xiàn)象結合起來，就會知道 GBW 在低溫和超導狀態(tài)下為何變得如此微小...
柵極浮空，顧名思義，就是 MOS 管的柵極不與任何電極相連，處于懸浮狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，柵極電壓為零，MOS 管的導通特性會發(fā)生變化（當 Vg（柵極電壓）輸入高電平時，N 管會導通，使得 P 管的柵極...
在 N 溝道 MOS 管中，當柵極施加正電壓時，柵極附近的電子被排斥，形成一個電子空缺區(qū)域，這就是耗盡層。相反，在 P 溝道 MOS 管中，當柵極施加負電壓時，柵極附近的空穴被排斥，形成一個空穴空缺區(qū)...
三極管是一種雙極型晶體管，具有三個控制電極：基極、發(fā)射極和集電極。 其中基極和發(fā)射極這兩者之間的電流控制著集電極和發(fā)射極之間的電流。三極管的控制電路比較簡單，只需要通過一個基極電流就可以控制集電極電...
