在電子應(yīng)用中，使用兩個(gè)PMOS管背靠背連接是常見(jiàn)的電路設(shè)計(jì)，其主要目的是為了提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。 那么，兩個(gè)PMOS管背靠背連接，是串聯(lián)還是并聯(lián)？事實(shí)上，兩者都是，即存在串聯(lián)和并聯(lián)兩種方式。
在實(shí)際電子應(yīng)用中最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 而IGBT（絕緣柵極雙極性晶體管）你可以把 將它 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，這是因?yàn)镮GBT具有 BJT 的輸...
?可以得出，阻值過(guò)大過(guò)小都是對(duì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生一定不利影響的，而如何確定出合適的阻值，一般是根據(jù)管子的電流容量和電壓額定值以及開(kāi)關(guān)頻率，來(lái)選取Rg的數(shù)值。
IGBT這個(gè)東西講起來(lái)還蠻抽象的，按功能來(lái)講，可以把它理解為電路開(kāi)關(guān)，比如家里的電燈開(kāi)關(guān)，不是“通”就是“斷”。 上次我們講了IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，今天我們來(lái)繼續(xù)講關(guān)于它的工作原理。 當(dāng)IGBT正輸...
在MOSFET實(shí)際應(yīng)用中，柵極振蕩會(huì)引起器件的故障和電路異常失效。嚴(yán)重時(shí)會(huì)呈現(xiàn)三種狀態(tài)，可能是徹底導(dǎo)通或者徹底關(guān)斷，也可能是進(jìn)入高阻導(dǎo)通，進(jìn)而發(fā)熱嚴(yán)重然后燒毀。
SGTMOSFET是一種具有高功率密度、低開(kāi)關(guān)損耗和優(yōu)良EMI性能的功率器件。它采用屏蔽柵溝槽技術(shù)，適用于電動(dòng)工具和鋰電保護(hù)板等領(lǐng)域。SGTMOSFET具有高電壓能力、高能效、高可靠性和抗干擾性強(qiáng)等優(yōu)...
