您好,歡迎訪問(wèn)廣東佑風(fēng)微電子有限公司
0769-82730221
中文
English
首頁(yè)
關(guān)于我們
公司簡(jiǎn)介
企業(yè)文化
發(fā)展歷程
合作伙伴
新聞資訊
公司新聞
產(chǎn)品知識(shí)
產(chǎn)品中心
二極管
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
高效率二極管
超快恢復(fù)二極管
開(kāi)關(guān)二極管
肖特基二極管
小信號(hào)肖特基二極管
低正向肖特基二極管
超快恢復(fù)共陰共陽(yáng)
保護(hù)器件
ESD靜電保護(hù)二極管
TVS瞬態(tài)抑制二極管
TSS固態(tài)放電管
穩(wěn)壓二極管
恒流二極管
MOS場(chǎng)效應(yīng)管
高壓MOS管
SJ超結(jié)MOS管
中低壓MOS管
整流橋堆
橋式整流器
快恢復(fù)橋式整流器
高效橋式整流器
超快恢復(fù)橋堆整流器
肖特基整流橋
三相整流橋堆
可控硅
微觸發(fā)單向可控硅
標(biāo)準(zhǔn)單向可控硅
三象限雙向可控硅
四象限雙向可控硅
IGBT
IGBT單管
IGBT模塊
三極管
小信號(hào)三極管
數(shù)字三極管
功率三極管
達(dá)林頓管
高壓二極管
快恢復(fù)高壓二極管
超快恢復(fù)高壓二極管
汽車(chē)點(diǎn)火系統(tǒng)的高壓二極管
微波爐的高壓硅二極管
第三代半導(dǎo)體
SiC MOSFET
SiC SBD
GaN HEMT
IC
LDO
基準(zhǔn)電源
電位檢測(cè)
驅(qū)動(dòng)IC
達(dá)林頓陳列
充電管理IC
DC-DC
運(yùn)放IC
復(fù)位IC
比較器
鋰電保護(hù)IC
存儲(chǔ)IC
霍爾IC
MCU
三端穩(wěn)壓集成電路
產(chǎn)品參數(shù)
資料下載
視頻學(xué)習(xí)
聯(lián)系我們
首頁(yè)
新聞資訊
產(chǎn)品知識(shí)
橋堆如何選型
橋堆如何選型
分類(lèi):產(chǎn)品知識(shí)
瀏覽:930
查看 »
整流橋燒壞原因有哪些?
整流橋燒壞原因有哪些?
分類(lèi):產(chǎn)品知識(shí)
瀏覽:1887
查看 »
整流二極管是否壞了怎樣判斷?
整流二極管是否壞了怎樣判斷?
分類(lèi):產(chǎn)品知識(shí)
瀏覽:1252
查看 »
開(kāi)關(guān)二極管和整流二極管有什么區(qū)別
開(kāi)關(guān)二極管和整流二極管有什么區(qū)別
分類(lèi):產(chǎn)品知識(shí)
瀏覽:1437
查看 »
整流二極管代換原則
整流二極管代換原則
分類(lèi):產(chǎn)品知識(shí)
瀏覽:1330
查看 »
整流二極管的選擇使用
整流二極管的選擇使用
分類(lèi):產(chǎn)品知識(shí)
瀏覽:828
查看 »
«
1
2
...
948
949
950
951
952
953
954
...
986
987
»
共 987 頁(yè) 5919 條記錄
文章資訊
全部資訊
公司新聞
行業(yè)動(dòng)態(tài)
產(chǎn)品知識(shí)
熱門(mén)資訊
SOD貼片二極管封裝形式及其主流尺寸
SOD貼片二極管封裝形式及其主流尺寸
MOS管參數(shù)
MOS管參數(shù)
可控硅被擊穿主要原因有三點(diǎn)
如何在印制板中通過(guò)PCB板上絲印二極管判斷方向
插件二極管絲印小圓一端是負(fù)極,大圓是正極。
齊納擊穿與雪崩擊穿三點(diǎn)區(qū)別
齊納擊穿主要取決于空間電荷區(qū)中的強(qiáng)電場(chǎng),并且需要較薄的隧穿區(qū)域
QQ客服
貿(mào)易商:古經(jīng)理
終端銷(xiāo)售:賴(lài)經(jīng)理
終端銷(xiāo)售:李經(jīng)理
客服微信
咨詢(xún)電話
0769-82730221
返回頂部