重磅！推出新一代中低壓MOSFET技術(shù)

最近推出了一款全新的功率MOSFET產(chǎn)品，名為SGT（Shielded Gate Trench屏蔽柵溝槽）技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)改變MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)變?yōu)轭?lèi)似壓縮的梯形電場(chǎng)，從而進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。新一代中低壓功率MOSFET產(chǎn)品已廣泛采用SGT技術(shù)。

（Trench MOS和SGT MOS器件結(jié)構(gòu)圖）

SGT MOSFET與傳統(tǒng)的溝槽型MOSFET相比具有許多優(yōu)勢(shì)。SGT工藝挖掘深度比普通溝槽工藝深3-5倍，通過(guò)在柵電極下方增加一塊多晶硅電極，即屏蔽電極或耦合電極，實(shí)現(xiàn)了屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用。這樣一來(lái)，SGT MOSFET減小了米勒電容和柵電荷，提高了開(kāi)關(guān)速度并降低了開(kāi)關(guān)損耗。同時(shí)，SGT MOSFET減小了漂移區(qū)臨界電場(chǎng)強(qiáng)度，降低了導(dǎo)通電阻，內(nèi)阻比普通溝槽型MOSFET低2倍以上。

（Trench MOS和SGT MOS柵電荷對(duì)比）

采用SGT技術(shù)制造的MOSFET減小了寄生電容和導(dǎo)通電阻，提升了芯片性能，并減小了芯片面積。與普通溝槽型MOSFET相比，在相同功耗下，SGT MOSFET的芯片面積減少超過(guò)40%。此外，SGT MOSFET在雪崩時(shí)能夠更好地承受雪崩擊穿和浪涌電流，具有較高的功率密度。

（應(yīng)用于同步整流SGT MOS）

隨著手機(jī)快充、電動(dòng)汽車(chē)、無(wú)刷電機(jī)和移動(dòng)儲(chǔ)能的興起，中低壓MOSFET的需求越來(lái)越大。SGT MOSFET作為中低壓MOSFET的代表，被廣泛應(yīng)用于手機(jī)快充、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，成為核心功率關(guān)鍵部件。