日期:2024-01-08 分類:產(chǎn)品知識(shí) 瀏覽:764 來(lái)源:廣東佑風(fēng)微電子有限公司
有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管在結(jié)構(gòu)上類似一個(gè)電容器,源、漏電極和有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的導(dǎo)電溝道相當(dāng)于一個(gè)極板,
柵極相當(dāng)于另一個(gè)極板。
當(dāng)在柵、源之間加上負(fù)電壓從VGS后,就會(huì)在絕緣層附近的半導(dǎo)體層中感應(yīng)出帶正電的空穴,柵極處會(huì)
積祟帶負(fù)電的電子。
此時(shí)在源、漏電極之間再加上一個(gè)負(fù)電壓VDS,就會(huì)在源漏電極之間產(chǎn)生電流IDS通過(guò)調(diào)節(jié)VGS和Vns可
以調(diào)節(jié)絕緣層中的電場(chǎng)強(qiáng)度,而隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的不同,感應(yīng)電荷的密度也不同。
因而,源、漏極之間的導(dǎo)電通道的寬窄也就不同,進(jìn)而源、漏極之間的電流也就會(huì)改變。
由此,通過(guò)調(diào)節(jié)絕緣層中的電場(chǎng)強(qiáng)度就可以達(dá)到調(diào)節(jié)源漏極之間電流的目的。保持VDS不變,當(dāng)VGS較小
時(shí)IDS很小,稱為“關(guān)”態(tài);當(dāng)VGS較大時(shí),IDS達(dá)到一個(gè)飽和值,稱為“開”態(tài)。20240108103742.png)