有機(jī)場效應(yīng)晶體管介紹

有機(jī)場效應(yīng)晶體管由三個電極即源極（source）漏（drain）極、柵極（gate）、有機(jī)半導(dǎo)體層和柵絕緣層組成。
根據(jù)器件的結(jié)構(gòu)，有機(jī)場效應(yīng)晶體管可以分為四類：底柵底接觸式、頂柵頂接觸式、項柵底接觸式和底柵I頁接觸式。
底柵和頂柵是根據(jù)柵極的位置來劃分，底柵是柵極沉積在柵絕緣層的下方，頂柵是柵極沉積在有機(jī)半導(dǎo)體和絕緣層上
方;而頂接觸和底接觸是根據(jù)有機(jī)半導(dǎo)體和源漏電極的位置來劃分，頂接觸是有機(jī)半導(dǎo)體先生長在柵絕緣層再進(jìn)行源漏
電極的沉積，而底接觸是有機(jī)半導(dǎo)體的基底是源漏電極和柵絕緣層。
不同的器件結(jié)構(gòu)會引起不同的載流子注入方式和器件性能，比如在底柵底接觸中，載流子可以直接從電極邊緣注入導(dǎo)
電溝道中，而在底柵頂接觸中，有機(jī)半導(dǎo)體把源漏電極和導(dǎo)電溝道隔開，從電極向?qū)щ姕系雷⑷氲妮d流子必須穿過有
機(jī)半導(dǎo)體層才能到達(dá)導(dǎo)電溝道中，這樣很有可能會增加接觸電阻而導(dǎo)致載流子的注入效率降低，但是這種結(jié)構(gòu)的器件
由于電極與有機(jī)半導(dǎo)體的接觸面積相對較大，在有機(jī)半導(dǎo)體層很薄的情況下，接觸電阻反而變得很小：另外，由于項
接觸是有機(jī)半導(dǎo)體材料直接沉積在絕緣層上，膜的質(zhì)量也比較優(yōu)質(zhì)，因此器件的性能比底接觸的較好一些。但是從制
作器件的工藝方面考慮，頂接觸是源漏電極沉積在有機(jī)半導(dǎo)體薄膜上，很可能對有機(jī)半導(dǎo)體引起一些負(fù)面影響，比如
破壞有機(jī)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)等：另一方面，頂接觸器件尺寸和集成度不能做到比底接觸的小和高，因此，頂接觸不宜進(jìn)行
大面積的生產(chǎn)，在一定程度上限制了其實際應(yīng)用。