YFW8G03ES 8A 30V ESOP-8 印字YFW8G03ES 低壓N+P溝MOS管 YFW佑風微品牌

型號：YFW8G03ES

溝道類型：低壓N+P溝MOS管

封裝：ESOP-8

品牌：YFW佑風微

N溝最大漏極電流ID：9.8A

N溝漏源擊穿電壓VDS：30V

P溝最大漏極電流ID：-7.6A

P溝漏源擊穿電壓VDS：-30V

N溝柵極閾值電壓VGS(th)：1.0V-2.5V

N溝漏極源極導通電阻RDS(ON)：28mΩ

P溝柵極閾值電壓VGS(th)：-1.0V - -2.5V

P溝漏極源極導通電阻RDS(ON)：55mΩ

引腳數(shù)量：8

產(chǎn)品特性：采用先進的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS(ON)，低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作。該器件適用于電池保護或其他開關(guān)應用。

產(chǎn)品應用：無線充電 增壓驅(qū)動 無刷電機

歡迎咨詢“佑風微電子”我司是一家專業(yè)從事半導體分立器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高新科技企業(yè)。公司主要生產(chǎn)銷售：普通整流二極管、快恢復二極管、高效率二極管、超快恢復二極管、肖特基二極管、低壓降肖特基二極管、碳化硅二極管、整流橋堆、快恢復整流橋堆、肖特基橋堆、TVS瞬態(tài)抑制二極管、ESD靜電保護元件、穩(wěn)壓二極管、晶體管、可控硅晶閘管、MOS場效應管等等。更多詳情可上我司官網(wǎng)www.yfwdiode.com了解。