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碳化硅（SiC）是一種應(yīng)用十分普遍的人造材料，與Si器件相比，以碳化硅（Silicon Carbide SiC）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件具有更高的電壓等級(jí)、更高的開關(guān)速度、更高的結(jié)溫、更低的開關(guān)損耗等優(yōu)勢(shì)。系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)包括最高能效、更快的運(yùn)行頻率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及減小的系統(tǒng)尺寸和成本。

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