MOS管總結(jié)導(dǎo)致發(fā)熱的主要因素

總結(jié)導(dǎo)致發(fā)熱的主要因素主要有以下幾點：
電路設(shè)計問題，MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)，MOS管導(dǎo)通過程時間過長導(dǎo)致，功率管的驅(qū)動頻率太高，頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時，首先要想想是不是頻率選擇的有點高。主要是有時過分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大。

功率管選型不當，導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))確實是最為關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)，然而開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs也有關(guān)，大部分工程師會優(yōu)先選用低導(dǎo)通電阻的MOS管，然而內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大，所以選擇功率管時夠用
就行，不能選擇太小的內(nèi)阻。

通過漏極和源極的導(dǎo)通電流ID過大，造成這樣的原因主要是沒有做好足夠的散熱設(shè)計，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。