MOS管相關(guān)概念解釋

“P”表示正電的意思，取自英文Positive的第一個(gè)字母。
在這類半導(dǎo)體中，參與導(dǎo)電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導(dǎo)體中的受主。

“N”表示負(fù)電的意思，取自英文Negative的第一個(gè)字母。在這類半導(dǎo)體中，參與導(dǎo)電的 (即導(dǎo)電載體)主要是帶負(fù)電的電子，這些電子來自半導(dǎo)體中的施主。

摻雜和缺陷均可造成導(dǎo)帶中電子濃度的增高. 對于鍺、硅類半導(dǎo)體材料，摻雜Ⅴ族元素(磷、砷、銻等)，當(dāng)雜質(zhì)原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時(shí)，可提供除滿足共價(jià)鍵配位以外的一個(gè)多余電子，這就形成了半導(dǎo)體中導(dǎo)帶電子濃度的增加，該類雜質(zhì)原子稱為施主。