mos管原理及幾種常見失效分析

mos管原理及幾種常見失效分析

mos管（以N溝道增強(qiáng)型mos場效應(yīng)管）它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

mos管常見失效分析：

1、雪崩失效（電壓失效）

也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過mosFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致mosFET失效。

2、SOA失效（電流失效）

既超出mosFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。

3、體二極管失效

在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。

4、諧振失效

在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。

5、靜電失效

在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。

6、柵極電壓失效

由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。