MOS管參數(shù)含義說明

MOS管參數(shù)含義說明

1、極限參數(shù)：

ID：最大漏源電流。是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID 。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額

IDM：最大脈沖漏源電流。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額

PD：最大耗散功率。是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升有所減額

VGS：最大柵源電壓

Tj：最大工作結(jié)溫。通常為 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件設(shè)計的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個溫度，并留有一定裕量

TSTG：存儲溫度范圍

2、靜態(tài)參數(shù)

V（BR）DSS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓VGS 為 0 時，場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V（BR）DSS 。 它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮?！?V（BR）DSS/ △ Tj ：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)，一般為 0.1V/ ℃

RDS（on）：在特定的 VGS （一般為 10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下， MOSFET 導(dǎo)通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數(shù)，決定了 MOSFET 導(dǎo)通時的消耗功率。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所增大。 故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計算

VGS（th）：開啟電壓（閥值電壓）。當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS 超過 VGS（th） 時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所降低

IDSS：飽和漏源電流，柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時的漏源電流。一般在微安級

IGSS：柵源驅(qū)動電流或反向電流。由于MOSFET輸入阻抗很大，IGSS 一般在納安級

3、動態(tài)參數(shù)

gfs ：跨導(dǎo)。是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度。 gfs 與 VGS 的轉(zhuǎn)移關(guān)系注意看圖表

Qg ：柵極總充電電量。 MOSFET 是電壓型驅(qū)動器件，驅(qū)動的過程就是柵極電壓的建立過程，這是通過對柵源及柵漏之間的電容充電來實現(xiàn)的，下面將有此方面的詳細(xì)論述

Qgs ：柵源充電電量

Qgd ：柵漏充電（考慮到 Miller 效應(yīng)）電量

Td（on） ：導(dǎo)通延遲時間。從有輸入電壓上升到 10% 開始到 VDS 下降到其幅值 90% 的時間

Tr ：上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間

Td（off） ：關(guān)斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時間

Tf ：下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間

Ciss ：輸入電容， Ciss= CGD + CGS （ CDS 短路）

Coss ：輸出電容，Coss = CDS +CGD

Crss ：反向傳輸電容，Crss = CGD

MOS管的極間電容，MOSFET 之感生電容被大多數(shù)制造廠商分成輸入電容，輸出電容以及反饋電容。所引述的值是在漏源電壓為某固定值的情況下。此些電容隨漏源電壓的變化而變化，電容數(shù)值的作用是有限的。輸入電容值只給出一個大概的驅(qū)動電路所需的充電說明，而柵極充電信息更為有用。它表明為達到一個特定的柵源電壓柵極所必須充的電量。