使用時主要關注的MOS管參數(shù)

使用時主要關注的MOS管參數(shù)

1、IDSS—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵MOS管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。

2、UP—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵MOS管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。

3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。

4、gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量MOS管放大能力的重要參數(shù)。

5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，MOS管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在MOS管上的工作電壓必須小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一項極限參數(shù)，是指MOS管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，MOS管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源電流。是一項極限參數(shù)，是指MOS管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。MOS管的工作電流不應超過IDSM。