MOS管會(huì)出現(xiàn)Vgs小平臺(tái)？

MOS管會(huì)出現(xiàn)Vgs小平臺(tái)？

以一個(gè) NMOS 開關(guān)電路為例，其中階躍信號(hào) VG1 設(shè)置了 DC 電平 2V，且為振幅 2V、頻率 50Hz 的方波，而 T2 的開啟電壓同樣為 2V，這使得 MOS 管 T2 會(huì)以 20ms 的周期進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。

在這一過(guò)程中，一個(gè)有趣的現(xiàn)象出現(xiàn)了：當(dāng) Vgs = 2V 時(shí)，會(huì)存在一個(gè)小平臺(tái)。那么，為何 Vgs 在上升時(shí)會(huì)有這樣一個(gè)小平臺(tái)呢？

答案在于效應(yīng)。MOS 管內(nèi)部存在多種寄生電容，

其中：Cgs稱為GS寄生電容，Cgd稱為GD寄生電容，輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容Crss=Cgd，

在電路工作時(shí)，電容（Cgd）在反相放大的作用下，會(huì)使等效輸入電容值顯著增大。當(dāng)輸入電壓要改變 Vgs 時(shí)，需要對(duì)這個(gè)增大的等效輸入電容進(jìn)行充電。在充電過(guò)程中，即便輸入電壓持續(xù)上升，由于大部分能量都用于對(duì)電容充電，這就導(dǎo)致 Vgs 的上升速度變緩，從而形成了我們所看到的 Vgs 小平臺(tái)。

進(jìn)一步探究發(fā)現(xiàn)，將電阻 R1 由 5K 改為 1K 后再次仿真，小平臺(tái)明顯變小甚至幾乎消失。這是因?yàn)?a target="_self" title="MOS 管" textvalue="MOS 管">MOS 管開啟是輸入電壓經(jīng) R1 對(duì) Cgs 的充電過(guò)程。R1 阻值減小，充電時(shí)間常數(shù)變小，對(duì) Cgs 充電加快，MOS 管能更快度過(guò)階段，迅速進(jìn)入完全導(dǎo)通狀態(tài)。所以，減小 R1 可改善平臺(tái)，使其變小甚至消失。