MOSFET雪崩擊穿特性參數(shù)

MOSFET雪崩擊穿特性參數(shù)

這些參數(shù)是 MOSFET 在關(guān)斷狀態(tài)能承受過(guò)壓能力的指標(biāo)。如果電壓超過(guò)漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài)

EAS：?jiǎn)未蚊}沖雪崩擊穿能量。這是個(gè)極限參數(shù)，說(shuō)明 MOSFET 所能承受的最大雪崩擊穿能量

IAR：雪崩電流

EAR：重復(fù)雪崩擊穿能量

5、體內(nèi)二極管參數(shù)

IS：連續(xù)最大續(xù)流電流（從源極）

ISM：脈沖最大續(xù)流電流（從源極）

VSD：正向?qū)▔航?/p>

Trr：反向恢復(fù)時(shí)間

Qrr：反向恢復(fù)充電電量

Ton：正向?qū)〞r(shí)間。（基本可以忽略不計(jì)）