日期：2024-12-06 分類：產(chǎn)品知識(shí) 瀏覽：568 來(lái)源：廣東佑風(fēng)微電子有限公司
在高壓下MOS與IGBT元器件要怎么做短路保護(hù)呢？下面由小編來(lái)給您講解下
首先在3腳的排序上，先以帶有短路保護(hù)鎖定的驅(qū)動(dòng)的3腳為短路信號(hào)檢測(cè)入端;然后2腳為驅(qū)動(dòng)地;最后1腳為驅(qū)動(dòng)輸出。
這樣如果電路存在短路，那么流過(guò)MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET簡(jiǎn)稱MOS）的電流很大在S極電阻兩端產(chǎn)生的壓降導(dǎo)致三極管由截止進(jìn)入導(dǎo)通(當(dāng)然導(dǎo)到什么程度具體跟MOS的跨導(dǎo)有關(guān)系)，因此驅(qū)動(dòng)電阻上面有壓降，MOS進(jìn)入放大區(qū)。這個(gè)時(shí)候高電壓就不會(huì)通過(guò)MOS進(jìn)行強(qiáng)電流放電，這樣芯片就不會(huì)有局部過(guò)熱的可能，能在很短的時(shí)間內(nèi)保護(hù)電路檢測(cè)到短路存在關(guān)閉并鎖定驅(qū)動(dòng)電壓輸出，這樣MOS就僅僅承受了動(dòng)作時(shí)間內(nèi)的恒流功率損耗，安全性能得到了很大提高。
當(dāng)然小編發(fā)布的電路僅作為理解原理，實(shí)際使用上具體參數(shù)還是要看實(shí)際工況選取的。
S級(jí)的電阻是根據(jù)你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的,至于跨導(dǎo)這個(gè)不是主要因數(shù);這里三極管并不工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)他只是根據(jù)MOS的瞬態(tài)電流值調(diào)整MOS的驅(qū)動(dòng)電壓,保證在短路出現(xiàn)的時(shí)候IDM不至于超出安全工作范圍,這個(gè)時(shí)候由于在1US甚至更短的時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)已經(jīng)被關(guān)斷并鎖定,所以不存在過(guò)功損耗.三極管的反映時(shí)間越快越好.其實(shí)這個(gè)電路是電流負(fù)反饋電路演變過(guò)來(lái)的.電路如下:
