柵極驅動 IC 式自舉電路的設計說明

日期:2024-12-24 分類:產(chǎn)品知識 瀏覽:569 來源:廣東佑風微電子有限公司


柵極驅動 IC 式自舉電路的設計說明

自舉式電路在高電壓柵極驅動電路中是很有用的

 VS 降低到 IC 電源電壓 VDD 或下拉至地時 ,(低端開關導通,高端開關關斷)

電源 VDD 通過自舉電阻RBOOT,和自舉二極管DBOOT,對自舉電容CBOOT,進行充電。

 高端開關將VS 上拉到一個較高電壓時,由 VBS 對自舉電容放電,此時VBS 電源浮動,自舉二極管反向偏置,軌電壓 (低端開關關斷,高端開關導通)和 IC 電源電壓 VDD,被隔離開。

以上就是自舉式電路在高電壓柵極驅動電路的工作原理。

當輸入電平不允許高端 MOS IGBT 使用直接式柵極驅動電路時,我們就可以考慮自舉式柵極驅動技術。

它經(jīng)常用作柵極驅動和伴發(fā)偏置電路兩者都以主開關器件的源作為基準。

自舉式電路具有簡單。低成本的優(yōu)勢。

但也存在一些缺點,占空比和導通時間會受到自舉電容的限制。并且,在開關器件關斷時,源極的負電壓會使負載電流突然流經(jīng)續(xù)流二極管,隨后給柵極驅動電路的輸出端造成麻煩。

此外,如果電容過小,自舉電容在上管開通時下降紋波過大,降低電容的使用壽命,開關管損耗變高,開關可靠性也變低;

如果電容值過大,自舉電容的充電時間減少,低端導通時間可能不足以使電容達到自舉電壓。

這種情況需要在PWM算法上做特定占空比補償或者獨立電源供應。




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