有關(guān)MOS管實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用之MOS管壓降與MOS管經(jīng)常性燒壞問題

為什么MOS管壓降這么大呢？

圖一

這是一款產(chǎn)品設(shè)計(jì)實(shí)例，要求是低功耗，因?yàn)橛兴{(lán)牙，所以弄了一個(gè)NMOS管用來低功耗時(shí)切斷藍(lán)牙電源。MOS管用的是FDV301?？墒前l(fā)現(xiàn)，MOS導(dǎo)通時(shí)，VCC是3.3V,VCC1只2.67V，所以藍(lán)牙根本連不上。

請(qǐng)問為什么MOS管壓降這么大呢？電路應(yīng)該怎么改呢？

MOS管經(jīng)常性燒壞是哪里設(shè)計(jì)出了問題了？

圖二

如圖二，這是一個(gè)利用P-MOS組成的開關(guān)電路。B+是電池端，當(dāng)開關(guān)按鍵按下后單片機(jī)獲得供電即將IO口置1，MOS管G極獲得持續(xù)低電平，實(shí)現(xiàn)開機(jī)。現(xiàn)在的問題是MOS管經(jīng)常性燒壞，請(qǐng)問是哪里設(shè)計(jì)出了問題了。

注：

1. G極為0時(shí)導(dǎo)通電壓正常，基本無(wú)壓差

2. 經(jīng)低頻開關(guān)測(cè)試，無(wú)異常現(xiàn)象出現(xiàn)

【上期問題解答】

問題一：STTH3010W快恢復(fù)二極管，If（av）=30A，Vrrm=1000V， DO-247封裝，可加裝大型低熱阻散熱片，

這個(gè)夠用的，如果還不夠用，可以降低一下Vrrm到600V，這樣就可以選用IDW100E60FKSA1這樣的功率二極管，峰值400A，平均正向電流150A，TO-247封裝，可以上散熱器，甚至是主動(dòng)散熱。

如果還抗不住，可以考慮在電力器件中選型了，像是IGBT，有270A的，不過控制電路要更復(fù)雜。

問題二：前端LC低通濾波的作用，主要是濾除高頻成分放置喇叭自激燒毀同時(shí)兼顧一定的阻抗匹配作用，看描述只是說它不會(huì)降低MOS管的電壓應(yīng)力并沒有說減小MOS管的沖擊，個(gè)人覺得這個(gè)RC電路是用來對(duì)喇叭負(fù)載的沖擊電流進(jìn)行抑制的.

另外前端LC低通濾波的作用，主要是濾除高頻成分，防止喇叭自激燒毀。高頻成分的來源，是功放芯片推挽輸出時(shí)MOS管的高頻開關(guān)，即輸出PWM波形的高頻，LC肯定不能100%的濾除的，但是是要衰減到一定程度對(duì)喇叭沒影響即可。還有喇叭在高頻干擾的情況下，一般很容易發(fā)生自激震蕩造成燒毀的，喇叭一般對(duì)直流和高頻都比較敏感

注：RC電路是用來對(duì)喇叭負(fù)載的沖擊電流進(jìn)行抑制的，因?yàn)槔纫彩怯芯€圈的又有磁鐵，也是個(gè)電感，所以喇叭自身也有一定的沖擊電流，所以有些設(shè)計(jì)專門對(duì)喇叭加續(xù)流二極管。