用電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)用管也可當(dāng)作三極管用

晶體管類型：MOSFET

控制通道類型：N通道

最大功耗（Pd）：0.83 W.

最大漏源電壓| Vds |：60 V.

最大柵源電壓| Vgs |：20 V.

最大柵極閾值電壓| Vgs（th）|：3 V.

最大漏極電流| Id |：0.5 A.

最高結(jié)溫（Tj）：150°C

最大漏源導(dǎo)通電阻（Rds）：5歐姆

技術(shù)數(shù)據(jù)由BS170 / D TMOS FET開關(guān)N Channel 增強(qiáng)型BS170 1 DRAIN 2 GATE？ 3源極最大額定值1 2額定值符號(hào)值單位3漏極 電源電壓VDS 60 VdcCASE29 04，型號(hào)30柵極 電源電壓TO 92（TO 226AA） 連續(xù)VGS 20Vdc 非重復(fù)性（tp？ 50 s）VGSM 40Vpk漏極電流（1）ID 0.5 Adc

離散半導(dǎo)體數(shù)據(jù)表BS170 N溝道垂直D-MOS晶體管1995年4月產(chǎn)品規(guī)格文件分立半導(dǎo)體，SC13b飛利浦半導(dǎo)體產(chǎn)品規(guī)格N溝道垂直D-MOS晶體管BS170描述快速參考數(shù)據(jù)N溝道增強(qiáng)模式漏源電壓VDS最大。 TO-92柵源電壓為60 V垂直D-MOS晶體管

 N通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管概述特性這些N通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng) 高密度單元設(shè)計(jì)，適用于低RDS（ON）。 晶體管采用飛兆半導(dǎo)體專有的高 電壓控制小信號(hào)開關(guān)生產(chǎn)。 細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這些產(chǎn)品旨在最大限度地減少對(duì)狀態(tài)的影響

N通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管概述特性這些N通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)高密度單元設(shè)計(jì)適用于低RDS（ON）。 晶體管采用飛兆半導(dǎo)體專有的高壓控制小信號(hào)開關(guān)生產(chǎn)。 細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這些產(chǎn)品旨在最大限度地減少國(guó)家抵御

P，BS170 Vishay Siliconix N溝道60V（DS）MOSFET產(chǎn)品概要部件號(hào)V（BR）DSS最小值（V）rDS（亮）最大值（W）VGS（th）（V）ID （A）5 @ VGS = 10 V 0.8至3 0.2 2N7000 2N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1至2.5 0.115 60  5.5 @ VGS = 10 V 0.8至2.5 0.225 5.5 @ VGS = 10 V 0.8至2.5 0.225 BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8至3 0.5特征優(yōu)勢(shì)應(yīng)用D Lo

N溝道60V（DS）MOSFET特性產(chǎn)品概要 TrenchFET 功率MOSFET VDS（V）rDS（on）（？）VGS（th）（V）ID（A）無(wú)鉛 ESD 受保護(hù)：2000 V可用2 VGS = 10 V 0.47 60 1.0至2.5 RoHS *應(yīng)用符合4 VGS = 4.5 V0.33 直接邏輯電平接口：TTL /CMOS 固態(tài)繼電器 驅(qū)動(dòng)器：繼電器，螺線管，Lam

 N溝道TO-92（TO-226）特性http://onsemi.com 這是一款無(wú)鉛器件* 500 mA，60 V最大額定RDS（on）= 5.0 W額定值符號(hào)值單位漏極 - 源電壓VDS 60 Vdc N溝道柵源電壓D - 連續(xù)VGS 20Vdc - 非重復(fù)（tp？50 ms）VGSM 40Vpk漏極電流（注）ID 0.5 Adc G總計(jì) 設(shè)備D.

O2NC HNEEHNEET B10 S7F M EETADOFT ODVRILMSE CS SE-AUR19 FAUE ETRS * 6VlVS 0o tD S * RSN =Ω5D（O）D G PRMRI DTI-V ATAKGEA N LM ST3 O2 ASLTMX AI BOUE AIU NS MMRTG。 PRMTR SMO VLE UI AAEE YBL AU NT Da-or Vlg VS 6 V enae 0 iSuc t D Cnnosrnurttab2°I 05 m otuu Da CrnaTm = 5。 A i i e C 1 D PldriCrn I 3 A ue Da e s nurt D M GtS

N溝道增強(qiáng)型BS170P模式垂直DMOS FET問題2 - 9月93特性* 60 V VDS * RDS（on）=5ΩDG S參考用于圖表E-Line TO92兼容絕對(duì)最大額定值。 參數(shù)符號(hào)值單元漏極 - 源極電壓VDS 60 V Tamb = 25°C時(shí)的連續(xù)漏極電流ID 270 mA脈沖漏極電流IDM 3A柵極 - 源極電壓VGS±20 V功耗