為什么通常都把P管放在高邊，N管放在低邊呢？（電路設計實例）

如下圖，上邊使用了PMOS管作為高邊開關，下邊使用NMOS管作低邊開關，這兩種驅動電路都能有效地控制負載的工作。

那為什么通常都把P管放在高邊，N管放在低邊呢？

MOS管作為一種開關，可以放在負載前也可以放在負載后。

這是由兩種開關管的開啟條件不同所導致的。

一般會有兩種情況，第一種是高邊驅動，開關MOS與電源直接相連，第二種就是低邊驅動，開關MOS與地相連。

我們來看兩者的導通條件：

增強型NMOS：GS之間的壓差Vgs>閾值電壓Vgs（th）。

當NMOS放在低邊處，S極接在GND，導通即：控制G極電壓高于0并超過閾值即可。

增強型PMOS：與NMOS正好相反，GS之間的壓差Vgs<閾值電壓Vgs（th）。

當PMOS放在高邊時，S極接Vbat是固定的。導通即：控制G極電壓低于Vbat且差值超過閾值即可。

那如果NMOS和PMOS位置互換呢？

由于基準S極電位浮動，再控制G極電壓就會相對變得復雜。

下面電路設計實例：

通過MCN控制功率電路通斷，使輸出電壓Vo能夠隨時等同于Vbat或者0，從而控制給后續(xù)負載電路的供電。

首先，Vbat電壓是確定的，Vo及后級電壓是不固定的。

我們以Vbat作為固定的基準電壓來采用HSD高邊驅動進行控制開關管。

高邊驅動優(yōu)先考慮PMOS進行控制，只需G極電壓低于Vbat一些即可。（如果采用NMOS，就需要考慮提供高于Vbat電壓的G極控制信號）。

如圖，電阻R1的作用是用來保證GS之間的電壓差。

這里需要注意PMOS的連接，需要將S極接到固定電位的Vbat上，如果接反的話就會導致體二極管直接導通，失去控制能力。

接下來如何控制G極實現2種電壓狀態(tài)的變化？

可以考慮采用分壓電阻的方式：

如圖增加電阻R2，當小開關斷開時，R2下端懸空，PMOS的G極電壓由于R1 應為VBAT，VGS=0，PMOS保持關斷。

如果想要控制這個小開關，用一個三極管就可以了。

MCU控制其基極，當MCU輸入低電平，三極管無法導通，R2下端懸空，PMOS保持關斷；當MCU輸入高電平，三極管便會導通，R2經過三極管接到地，實現對P管的G極的分壓降壓，最終實現導通。

此電路設計注意要點：

1. 三極管的be極之間有PN結，存在導通壓降（約0.7V），計算R1、R2電阻分壓的G極電壓時要把0.7V算進去；

2.R3作用在于限制三極管輸入電流Ibe，R4作用是當MCU引腳為懸空時保證基極電壓為0的，使三極管有效關斷。

3.與R1并聯的二極管D1的作用是保護MOS管，防止當外接電源VBAT電壓異常過壓，超過MOS允許的GS間最大電壓而損壞MOS。