碳化硅肖特基二極管

SBD 在導通過程中沒有額外載流子的注入和儲存，因而反向恢復電流小，關斷過程很快，開關損耗小。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大，硅的肖特基勢壘較低，硅 SBD 的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在 150 ℃以上工作。然而，碳化硅 SBD彌補了硅 SBD 的不足，許多金屬，例如鎳、金、鈀、鈦、鈷等，都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度 1 eV 以上的肖特基接觸。據(jù)報道，Au/4H-SiC 接觸的勢壘高度可達到 1.73 eV，Ti/4H-SiC 接觸的勢壘比較低，但最高也可以達到 1.1 eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬，最低只有 0.5 eV，最高可達1.7 eV。于是，SBD 成為人們開發(fā)碳化硅電力電子器件首先關注的對象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結合的理想器件。目前國際上相繼研制成功水平較高的多種類的碳化硅器件。