日期:2023-06-07 分類:產(chǎn)品知識 瀏覽:874 來源:廣東佑風(fēng)微電子有限公司
雙向可控硅使用條件
?。?)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,否則控制極將不起作用。
?。?)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按最大電流的1.5~2倍來取。
(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護(hù)措施,一般對過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),當(dāng)在交流側(cè)時額定電流取大些。
一般多采用前者,過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以抑制。

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