雙向可控硅好壞判斷

雙向可控硅好壞判斷

　　方法一：

　　測(cè)量極間電阻法。將萬(wàn)用表置于皮Rx1k檔，如果測(cè)得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wàn)用表置于Rx10檔測(cè)得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆時(shí)，就說(shuō)明雙向可控硅是好的，可以使用;反之，若測(cè)得T2-T1，、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零，而T1-G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)，就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;如果測(cè)得T1-G之間的正反向電阻很大（接近∞）時(shí)，說(shuō)明控制極G與主電極T1之間內(nèi)部接觸不良或開(kāi)路損壞，也不能使用。

　　方法二：

　　檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力。萬(wàn)用表置于Rx10檔：①如圖，1（a）所示， 用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線將G與T1（或T2）短接一下后離開(kāi)，如果表頭指針發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)并停留在一固定位置，說(shuō)明雙向可控硅中的一部分（其中一個(gè)單向可控硅）是好的，如圖1（b）所示， 改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓，再用短路線將G與T1（或T2）短接一下后離開(kāi)，如果結(jié)果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分（其中的一個(gè)單向可控硅是好的。測(cè)試到止說(shuō)明雙向可控硅整個(gè)都是好的，即在兩個(gè)方向（在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導(dǎo)通。

　方法三：

　　檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力。如圖2所示，取一只10uF左右的電解電容器，將萬(wàn)用表置于Rx10k檔（V電壓），對(duì)電解電容器充電3~5s后用來(lái)代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號(hào)，然后再將萬(wàn)用表置于Rx10檔，照?qǐng)D2（b）連接好后進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試時(shí)，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開(kāi)，觀察表頭指針偏轉(zhuǎn)情況，如果測(cè)試結(jié)果與“方法二’相同，就證明雙向可控硅是好的。

　應(yīng)用此法判斷雙向可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通能力更為可靠。由于電解電容器上充的電壓較高，使觸發(fā)信號(hào)增大，更利于判斷大功率雙向可控硅的觸發(fā)能力。