三極管和MOS管的幾大區(qū)別

三極管和MOS管的幾大區(qū)別

　　1、工作性質(zhì)：三極管電流控制，MOS管屬于電壓控制。

　　2、成本問題：三極管便宜，MOS管昂貴。

　　3、功耗：三極管損耗。

　　4、驅(qū)動(dòng)能力：常用于功率開關(guān)的MOS管和大電流局部開關(guān)電路

　　晶體管更便宜，更容易使用。它們通常用于數(shù)字電路的開關(guān)控制。

　　MOS晶體管用于高頻和高速電路、大電流應(yīng)用以及對(duì)基極或漏極控制電流敏感的區(qū)域。

　　MOS晶體管不僅可以用作開關(guān)電路，還可以用作模擬放大器，因?yàn)樵谝欢ǚ秶鷥?nèi)柵極電壓的變化會(huì)引起漏導(dǎo)電阻的變化。

　　兩者的主要區(qū)別在于雙極晶體管是電流控制裝置(較大的集電極電流由基座上的較小電流控制)，MOS晶體管是電壓控制裝置(源漏導(dǎo)通電阻由柵極電壓控制)。

　　MOS晶體管（FET）具有低導(dǎo)通電阻，柵極驅(qū)動(dòng)不需要電流，損耗低，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，具有保護(hù)二極管，良好的熱阻特性，適合大功率并聯(lián)，缺點(diǎn)是開關(guān)速度不高，比較昂貴。

　　三極管的開關(guān)速度很高，大的晶體管IC可以做很多，缺點(diǎn)是損耗大，基極驅(qū)動(dòng)電流大，驅(qū)動(dòng)復(fù)雜。

　　一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于低成本的應(yīng)用，三極管在一般的應(yīng)用中應(yīng)該首先考慮。如果不是，應(yīng)考慮MOS管。

　　事實(shí)上，認(rèn)識(shí)到當(dāng)前的控制是緩慢的和電壓控制是快速的是錯(cuò)誤的。為了真正理解雙極型晶體管和MOS晶體管的工作模式，我們可以理解。晶體管是由載流子的運(yùn)動(dòng)作用的。例如，NPN發(fā)射極跟隨器，無(wú)論有沒有施加到基極的電壓，由基極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域組成的PN結(jié)都防止許多電子的擴(kuò)散(基極區(qū)域是空穴，發(fā)射極區(qū)域是電子)。在PN結(jié)處，靜電場(chǎng)(即內(nèi)置電場(chǎng))從發(fā)射極區(qū)域感應(yīng)到基極區(qū)域。當(dāng)基極施加的正電壓指向基極區(qū)域，并且由基極施加的電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)大于內(nèi)置電場(chǎng)時(shí)，基極區(qū)域中的載流子(電子)可以從基極區(qū)域流向發(fā)射區(qū)域。該電壓的Z小值是pn結(jié)的正向?qū)妷海ㄔ诠こ讨型ǔ１徽J(rèn)為是0.7V）。但是每個(gè)pn結(jié)兩側(cè)都會(huì)有電荷。如果集電極-發(fā)射極電壓為正，則在電場(chǎng)的作用下，發(fā)射極區(qū)中的電子將向基區(qū)移動(dòng)。因?yàn)榛鶇^(qū)寬度很小，電子可以很容易地穿過基區(qū)到集電極區(qū)，并且在這里PN上有空穴。為了維持平衡，在正電場(chǎng)的作用下，集電區(qū)內(nèi)的電子加速外部集電體的移動(dòng)，而空穴在PN結(jié)處移動(dòng)，這與雪崩過程類似。集電極的電子通過功率源回到發(fā)射極，這是晶體管的工作原理。當(dāng)晶體管工作時(shí)，兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)引起電荷。當(dāng)開關(guān)接通時(shí)，晶體管飽和。如果晶體管被切斷，由pn結(jié)引起的電荷將恢復(fù)平衡。這個(gè)過程需要時(shí)間。MOS晶體管以不同的方式工作，因此不能用作高速開關(guān)管。

　?。?）場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，晶體管是電流控制元件。當(dāng)從信號(hào)源允許更少的電流時(shí)，應(yīng)當(dāng)選擇FET，當(dāng)信號(hào)電壓較低時(shí)，應(yīng)當(dāng)選擇晶體管，并且當(dāng)從信號(hào)源允許更多電流時(shí)，應(yīng)當(dāng)選擇晶體管。

　　(2)MOSFET使用大多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它們被稱為單極器件，而晶體管僅使用少數(shù)載流子導(dǎo)電。它被稱為雙極器件。

　?。?）一些FET的源極和漏極可以互換使用，柵極電壓可以是正的或負(fù)的，并且柔性優(yōu)于晶體管。

　　(4)FET可以在非常低的電流和電壓條件下工作，并且其制造工藝可以容易地將許多FET集成在單個(gè)硅片上，因此FET在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

　?。?）FET因其輸入阻抗高、噪聲低而廣泛應(yīng)用于各種電子器件中。特別是采用FET作為整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以得到普通晶體管無(wú)法達(dá)到的性能。

　　(6)場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要分為兩類：結(jié)型和絕緣柵型，控制原理相同。

　　其他比較：

　　1。三極管是一個(gè)雙極管，即管的內(nèi)部由兩種載流子：空穴和自由電子參與。FET是單極管，也就是說(shuō)，當(dāng)管工作時(shí)，要么只有空穴，要么只有自由電子參與傳導(dǎo)，只有一個(gè)載體。

　　2和三極管屬于電流控制裝置，輸入電流具有輸出電流。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種無(wú)輸入電流和輸出電流的電壓控制裝置。

　　3，晶體管的輸入阻抗小，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸入阻抗大。

　　4、一些場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和漏極可以互換，三極管集電極和發(fā)射極不能互換。

　　5，F(xiàn)ET的頻率特性不如三極管好。

　　6。FET具有低噪聲系數(shù)，適用于低噪聲放大器的前置放大器級(jí)。

　　7，如果信號(hào)電流較低，則應(yīng)該選擇FET。