MOS管柵極電壓失效的預(yù)防措施

MOS管柵極電壓失效的預(yù)防措施

柵源間的過(guò)電壓保護(hù)：如果柵源間的阻抗過(guò)高，則漏源間電壓的突變會(huì)通過(guò)極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當(dāng)高的UGS電壓過(guò)沖，這一電壓會(huì)引起柵極氧化層永久性損壞，如果是正方向的UGS瞬態(tài)電壓還會(huì)導(dǎo)致器件的誤導(dǎo)通。為此要適當(dāng)降低柵極驅(qū)動(dòng)電路的阻抗，在柵源之間并接阻尼電阻或并接穩(wěn)壓值約20V的穩(wěn)壓管。特別要注意防止柵極開(kāi)路工作。其次是漏極間的過(guò)電壓防護(hù)。如果電路中有電感性負(fù)載，則當(dāng)器件關(guān)斷時(shí)，漏極電流的突變(di/dt)會(huì)產(chǎn)生比電源電壓高的多的漏極電壓過(guò)沖，導(dǎo)致器件損壞。應(yīng)采取穩(wěn)壓管箝位，RC箝位或RC抑制電路等保護(hù)措施。

補(bǔ)充下,MOSFET損壞主要有使用/品質(zhì)工藝兩方面原因. 使用方面:

1)靜電損壞,初期可能還像好管子一樣開(kāi)關(guān),經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后會(huì)失效炸機(jī),GDS全短路.

2)空間等離子損傷,輕者和靜電損壞一樣,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千萬(wàn)別用負(fù)離子發(fā)生器或有此功能的空調(diào)!

3)漏電損傷,多數(shù)情況下GDS全短路,個(gè)別會(huì)DS或GD斷路.

4)過(guò)驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)18V后,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間使用會(huì)GDS全斷.

5)使用負(fù)壓關(guān)閉,柵加負(fù)壓后,MOSFET抗噪能力加強(qiáng),但DS耐壓能力下降,不適當(dāng)?shù)呢?fù)壓,會(huì)導(dǎo)致DS耐壓不夠而被擊穿損壞而GDS短路.

6)柵寄生感應(yīng)負(fù)壓損壞,和不適當(dāng)?shù)呢?fù)壓驅(qū)動(dòng)一樣,只是該負(fù)壓不是人為加上的,是由于線(xiàn)路寄生LC感應(yīng),在刪上感應(yīng)生成負(fù)脈沖.