MOS管實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用之單片機(jī)輸出PWM控制與電流負(fù)載

電路圖如下，

采用的單片機(jī)輸出PWM控制達(dá)到調(diào)整電流的目的，但MOS管壓降太大10V左右，溫度很高。。輸出電流大概控制在250mA左右

求解。。換成三極管驅(qū)動(dòng)也不行，圖騰柱式驅(qū)動(dòng)壓降也依舊很大。

注：12V和管溝間有加了個(gè)1K的電阻 原理圖忘畫了

問題二

想做一個(gè)電流負(fù)載箱，有N個(gè)電阻，大小為0.1歐姆的，電流最大為AC120A，功率最大到2000W，電阻上有14個(gè)出頭

請(qǐng)問要如何接線？

注：主要是要通比較大的電流，所以想在電阻上分一下，以至于電阻能承受

上期答案：

1.導(dǎo)通對(duì)電感充電后,電感電勢需要2進(jìn)行放電,再有1充電,循環(huán)往復(fù),就形成了交變電壓電流,變壓器輸出端就能夠感應(yīng)電壓輸出,他們的交流電壓輸出頻率就有1,2管,轉(zhuǎn)換率確定.

2. 在低頻條件下，這個(gè)電阻有點(diǎn)安慰性質(zhì)，不接也罷。但在高頻時(shí)，情況就變了，MOSFET的輸入阻抗將降低，而且在某個(gè)頻率范圍內(nèi)將變成負(fù)阻，會(huì)發(fā)生振蕩。為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩,減小集電極的電壓尖峰,應(yīng)在柵極串上合適的電阻 Rg .當(dāng) Rg 增大時(shí),導(dǎo)通時(shí)間延長,損耗發(fā)熱加劇; Rg 減小時(shí), di/dt 增高,可能產(chǎn)生誤導(dǎo)通,使器件損壞.應(yīng)根據(jù)管子的電流容量和電壓額定值以及開關(guān)頻率來選取 Rg 的數(shù)值.通常在幾歐至幾十歐之間 ( 在具體應(yīng)用中,還應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況予以適當(dāng)調(diào)整 ) .另外為防止門極開路或門極損壞時(shí)主電路加電損壞器件,建議在柵源間加入一電阻 Rge ,阻值為 10 k Ω左右.這個(gè)Rg的值，你可以在datasheet中，Td on 和Td off一欄后面可以見到。