mos管功耗計(jì)算

       MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分：

1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。

與MOSFET柵極電容充電和放電有關(guān)。這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開關(guān)頻率時(shí)。

2. 由于MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。

高電平時(shí)和低電平時(shí)的靜態(tài)功耗。

3. MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通（穿通）電流產(chǎn)生的功耗。

由于MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通而產(chǎn)生的功耗，通常這也被稱為穿通。這是由于輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)的P溝道和N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管（FET）在其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間切換時(shí)同時(shí)導(dǎo)通而引起的。