MOS功率器件在開關(guān)電路中如何選型？

       MOS功率器件廣泛應(yīng)用在汽車電子、新能源、工控、電源等領(lǐng)域，MOS在開關(guān)電路中應(yīng)該如何選型呢？

       MOS功率器件，主要是采用性能良好的驅(qū)動電路能夠使功率開
關(guān)器件工作在比擬理想的開關(guān)狀態(tài)，同時縮短開關(guān)時間，減小開關(guān)損耗，對安裝的運轉(zhuǎn)效率，牢靠性和平安性都有重要的意義。因而驅(qū)動電路的優(yōu)劣直接影響主電路的性能，驅(qū)動電路的合理化設(shè)計顯得越來越重要。晶閘管體積小，重量輕，效率高，壽命長，運用便當(dāng)，能夠便當(dāng)?shù)耐Ｖ拐骱湍孀儯夷軌蛟诓桓膭与娐窐?gòu)造的前提下，改動整流或逆變電流的大小。

       IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合器件，它具有開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動功率小和驅(qū)動電路簡單的特性，又具有通態(tài)壓降小、耐壓高和接受電流大等優(yōu)點。IGBT作為主流的功率輸出器件，特別是在大功率的場所，已經(jīng)被普遍的應(yīng)用于各個范疇，如：工業(yè)控制，鋰電池，汽車導(dǎo)航系統(tǒng)，智能家居，光伏儲能等。