MOSFET柵極驅(qū)動：出現(xiàn)了不完全導通和振蕩現(xiàn)象怎么辦？

你知道米勒平臺嗎？在MOS管GS和GD之間有一個等效電容，電容兩端電壓不能進行突變。

在柵極處加上一個開關信號，可以對電容進行充放電。

如果柵極串聯(lián)的電阻較大時，MOS管就會出現(xiàn)不完全導通（如下圖）但下一個關閉MOS管的信號又到達的情況。為什么？

這是因為較大的電阻會讓柵極的充放電電流比較小，電容的充電速度變慢。

如果將串聯(lián)的電阻縮小，電壓信號基本保持方波（如下圖），并且將開關頻率降低，就能實現(xiàn)完全導通。

除了出現(xiàn)不完全導通的情況以外，我們還會遇到柵極電壓Vgs出現(xiàn)嚴重振鈴 的情況：

此時的MOSFET不再只是徹底的導通和關斷兩種狀態(tài)，而是反復進入了高阻導通狀態(tài)，導致發(fā)熱嚴重并且燒毀MOS管。

比如說，在驅(qū)動電路中增加一個串聯(lián)電阻，MOSFET柵極電壓波形振蕩現(xiàn)象消失。

當R<√(L/C)時，成為欠阻尼狀態(tài)，振蕩就會發(fā)生。

當R>=√(L/C)時，即過阻尼狀態(tài)，振蕩就會消失。

不過在這里最好首先考慮減小PCB引線電感，增加走線的寬度或者減小，當電感無法減小時，就可以增加一個外部電阻，減小驅(qū)動電流。