您知道MOS管帶載能力和哪些有關(guān)嗎？

您知道MOS管帶載能力和哪些有關(guān)嗎？

漏源電流和內(nèi)阻，是判定 MOS 管帶載能力的關(guān)鍵指標(biāo)。

依據(jù)公式P=I2R，漏源電流越大，內(nèi)阻越小， MOS 管的帶載能力越強(qiáng)。

當(dāng) MOS 管完全導(dǎo)通時(shí)，導(dǎo)通電阻就相當(dāng)于漏源極之間的“小電阻”，（如圖）VCC→RDS(on) →RL→GND形成回路。

還要考慮的一個(gè)因素是電阻分壓原理，串聯(lián)電路中的分壓與阻值成正比，電阻值越大分得的電壓越多。通過并聯(lián)使用 MOS 管，可以減小總的內(nèi)阻，從而增強(qiáng)帶載能力。

漏源電流規(guī)定了在正常工作時(shí)，從漏極流向源極所能安全承載的最大電流

當(dāng)內(nèi)阻越大，管子自身消耗的功率越多，管子越容易發(fā)熱，壽命變短，甚至炸裂。

而內(nèi)阻越小，負(fù)載產(chǎn)生的分壓越多，獲得的能量就越大，說明帶載能力越強(qiáng)，所以一般選用內(nèi)阻較低的MOS管。

而內(nèi)阻RDS(on)又跟什么有關(guān)呢?

我們來舉例說明，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為10V，導(dǎo)通電阻為0.12Ω。

MOS的導(dǎo)通電阻隨溫度上升而上升，下圖顯示該MOS的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫為130℃的時(shí)候，為20℃時(shí)候的2倍。

從下圖可以看到，驅(qū)動(dòng)電壓越高，實(shí)際上導(dǎo)通電阻略大，而且最大導(dǎo)通電流也略大。

因此，選擇 MOS 管時(shí)應(yīng)考慮其漏源電流、內(nèi)阻以及這些參數(shù)隨溫度和電壓的變化。在高功率或高散熱需求的應(yīng)用中，考慮使用低內(nèi)阻的 MOS 管，并可能需要采用并聯(lián)方式以增強(qiáng)帶載能力。