日期:2024-01-17 分類:產(chǎn)品知識 瀏覽:920 來源:廣東佑風(fēng)微電子有限公司
MOSFET的擊穿種類如下:
Source、Drain、Gate
場效應(yīng)管的三極:源級S 漏級D 柵級G
(這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針對漏極電壓擊穿)
先講測試條件,都是源柵襯底都是接地,然后掃描漏極電壓,直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看,它的漏電通道有三條:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。