當MOS管出現(xiàn)不完全導通，以及邊沿爬坡緩慢會出現(xiàn)什么情況？

正常情況下：當MOS管在開關狀態(tài)時，開關波形應該會和控制信號電壓波形一樣標準。

但是實際上柵極串聯(lián)較大的電阻以后，柵極上的充放電電流很小，對電容的充電速度變慢，MOS管出現(xiàn)了未完全導通，并且下一個關閉MOS管的信號又到達了的現(xiàn)象。

我們了解過米勒平臺，知道MOS管GS和GD之間都有一個等效電容，電容兩端的電壓無法突變，因此本質上就是對這些電容進行充放電，讓Vgs電壓達到導通和關閉的門限。

我們通過這個電路來講解，在這里當輸入信號為1MHz時，幅度5V的方波信號，通過200ohm電阻R1連接到NMOS的G極，但Ud電壓最小值還在5V時又開始上升了，開關并沒有完全導通。

這時可以將串聯(lián)電阻R1縮小，大概20ohm，Vd電壓信號保持為方波，這就可以進行完全導通了。

但是，當Ud關斷時，出現(xiàn)了較長的“爬坡”，也就是說，即使將柵極驅動電流增大了，MOS管本身的開關頻率也存在上限。

于是我們將柵極驅動型號的頻率降低到100kHz，這時的Ud和Ugs就是一個比較標準的方波信號了。

當MOS管出現(xiàn)不完全導通，以及邊沿爬坡緩慢會出現(xiàn)什么情況？

事實上當MOS管完全導通時，MOS管的損耗可以看作為0，也就是說MOS管的損耗只存在于開關的過程中

相反，MOS管的損耗就會加大，并加重發(fā)熱，最終導致MOS管燒毀。