場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因

場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有
N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管JFET和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管IGFET之分。IGFET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。　

MOS場(chǎng)效應(yīng)管有加強(qiáng)型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型（MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極：D（Drain）稱為
漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；G（Gate）稱為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；
S（Source）稱為源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。