半導體的發(fā)展史

半導體的發(fā)展史

英國科學家電子學之父法拉第最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電bai阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，
金屬的電阻隨溫度升高而增加，但法拉第發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)。

1839

法國的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)半導體和電解質(zhì)接觸形成的結，在光照下會產(chǎn)生一個電壓，這就是后來人們熟知的光生伏特效應，
這是被發(fā)現(xiàn)的半導體的第二個特性。

1873

英國的史密斯發(fā)現(xiàn)硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體的第三種特性。

1874

德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；
如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第四種特性。
同年，舒斯特又發(fā)現(xiàn)了銅與氧化銅的整流效應。

半導體的這四個特性，雖在1880年以前就先后被發(fā)現(xiàn)了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。
而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。